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    Product laser

    产品中心
    IGBT/SiC激光退火设备
    产品简介
    精确的单/双脉冲控制,对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。
    产品特点

    激活深度≥7µm

    单位小时产出>25 @8"

    优异的方阻均匀性和表面颜色

    完整的全程监控反馈能力

    支持超薄片、TAIKO片、翘曲片退火

    具备激光辅助加热系统

    应用领域
    标准晶圆、平边晶圆、Notch晶圆、Taiko晶圆
    技术指标
    设备型号 DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
    适用晶圆尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
    激光能量密度 ≥5J/cm² ≥5J/cm² ≥5J/cm² ≥5J/cm²
    激光稳定性 ≤ 2%,RMS
    激活率 ≥95% @B Implant,≥90% @P Implant
    均匀性 片内:≤1%,片间:≤1%,@8",RS
    洁净度控制 ≤30 @ 0.5µm,≤5 @ 1µm
    自动传片系统 双晶圆装载口、多关节机器手、预准直器
    应用案例
    友情链接: