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    Product laser

    产品中心
    晶圆激光隐切设备
    产品简介
    该设备可通过精密控制及激光内部改质技术,使得晶圆切割后裂片扩膜成单颗小芯片,以便实现后续的晶圆封测。
    产品特点

    兼容性好,可同时切割4~12寸及不同厚度的晶圆

    支持蓝宝石、硅、碳化硅、钽酸锂等衬底材质

    良好的定位精度及重复定位精度

    切割质量高,直线度好,无崩边、裂痕

    切割区域影响小,切割道≤20µm

    应用领域
    半导体芯片封装
    技术指标
    设备型号 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
    设备尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
    适用晶圆尺寸 6寸及以下 8寸、12
    适用晶圆厚度 60µm to 400µm
    平台精度 重复定位精度≤ ±1µm;定位精度<±3µm
    直线度  5 µm
    切割路径宽度  20 µm
    TTV  10 µm  15 µm
    应用案例
    友情链接: